InGaAS-APD-modulserio

Modelo: GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Mallonga priskribo:

La aparato estas InGaAs-lavanga fotodiodmodulo kun enkonstruita antaŭamplifila cirkvito, kiu povas konverti la malfortajn.Post kiam la nuna signalo estas plifortigita, ĝi estas konvertita en tensan signalan eligon por realigi "optik-elektran signalan plifortigon" konvertan procezon.

akiri citaĵon Elŝutu

Teknika Parametro

TRAJTOJ

APLIKO

Produktaj Etikedoj

Fotoelektraj karakterizaĵoj (＠Ta＝22±3℃)
Modelo	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Pakoformo	AL-8	AL-8	AL-8
Fotosentema surfacdiametro (mm)	0.2	0.5	0.08
Spektra respondintervalo (nm)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Pana tensio (V)	30~70	30~70	30~70
Respondeco M=10 l=1550nm (kV/W)	340	340	340
Levtempo (ns)	5	10	2.3
Bendolarĝo (MHz)	70	35	150
Ekvivalenta brua potenco (pW/√Hz)	0.15	0.21	0.11
Temperaturkoeficiento de funkcia tensio T=-40℃~85℃(V/℃)	0.12	0.12	0.12
Koncentreco (μm)	≤50	≤50	≤50
Alternativaj modeloj de la sama agado tutmonde	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Antaŭa Ebena Blata Strukturo

Rapida respondo

Alta detektila sentemo

Laser intervalo

Lidar

Lasera averto