Fabriko de PRODUTOJ, Provizantoj - Ĉinaj PRODUZOJ Fabrikistoj

InGaAs APD-Moduloj

Ĝi estas india galiumarsenida lavanga fotodioda modulo kun antaŭ-amplifiga cirkvito, kiu ebligas malfortan nunan signalon esti plifortigita kaj konverti en tensan signalon por atingi la konvertan procezon de foton-fotoelektra-signala plifortigo.

ENKETO detalo
Kvar-kvadranto APD

Ĝi konsistas el kvar samaj unuoj de Si-lavanga fotodiodo kiu disponigas altan sentemon intervalantan de UV ĝis NIR.La pinta responda ondolongo estas 980nm.Respondeco: 40 A/W ĉe 1064 nm.

ENKETO detalo
Kvar-kvadrantaj APD-moduloj

Ĝi konsistas el kvar samaj unuoj de Si-lavanga fotodiodo kun antaŭ-amplifiga cirkvito kiu ebligas malfortan kurentsignalon esti plifortigita kaj konverti en tensiosignalon por atingi la konvertan procezon de foton-fotoelektra-signal-amplifiko.

ENKETO detalo
850nm Si PIN-moduloj

Ĝi estas 850nm Si PIN fotodioda modulo kun antaŭ-amplifiga cirkvito kiu ebligas malfortan nunan signalon esti plifortigita kaj konverti al tensio-signalo por atingi la konvertan procezon de foton-fotoelektra-signala plifortigo.

ENKETO detalo
900nm Si PIN-fotodiodo

Ĝi estas Si PIN-fotodiodo, kiu funkcias sub inversa biaso kaj disponigas altan sentemon de UV ĝis NIR.La pinta responda ondolongo estas 930nm.

ENKETO detalo
1064nm Si PIN-fotodiodo

Ĝi estas Si PIN-fotodiodo, kiu funkcias sub inversa biaso kaj disponigas altan sentemon de UV ĝis NIR.La pinta responda ondolongo estas 980nm.Respondeco: 0.3A/W ĉe 1064 nm.

ENKETO detalo
Fibra Si PIN-moduloj

Optika signalo estas konvertita en aktualan signalon per enigo de optika fibro.La Si PIN-modulo estas kun antaŭ-amplifiga cirkvito, kiu ebligas plifortigi malfortan nunan signalon kaj konverti al tensio-signalo por atingi la konvertan procezon de foton-fotoelektra-signal-amplifiko.

ENKETO detalo
Kvar-kvadranto Si PIN

Ĝi konsistas el kvar samaj unuoj de Si PIN-fotodiodo kiu funkcias sub reverso kaj disponigas altan sentemon intervalantan de UV ĝis NIR.La pinta responda ondolongo estas 980nm.Respondeco: 0.5 A/W ĉe 1064 nm.

ENKETO detalo
Kvar-kvadrantaj Si PIN-moduloj

Ĝi konsistas el unuopaj aŭ duobligitaj kvar samaj unuoj de Si PIN-fotodiodo kun antaŭ-amplifiga cirkvito kiu ebligas malfortan nunan signalon esti plifortigita kaj konverti en tensiosignalon por atingi la konvertan procezon de foton-fotoelektra-signala plifortigo.

ENKETO detalo
UV plibonigita Si PIN

Ĝi estas Si PIN-fotodiodo kun plibonigita UV, kiu funkcias sub reverso kaj provizas altan sentemon de UV ĝis NIR.La pinta responda ondolongo estas 800nm.Respondeco: 0,15 A/W ĉe 340 nm.

ENKETO detalo
1064nm YAG Lasero -15mJ-5

Ĝi estas pasive Q-ŝanĝita Nd: YAG-lasero kun 1064nm ondolongo, ≥15mJ pinta potenco, 1~5hz (alĝustigebla) pulso-ripetfrekvenco kaj ≤8mrad-angulo de diverĝo.Krome, ĝi estas malgranda kaj malpeza lasero kaj kapabla atingi altan energioproduktadon kiu povas esti ideala lumfonto de intervala distanco por iuj scenaroj kiuj havas rigidajn postulojn por volumeno kaj pezo, kiel ekzemple individua batalo kaj UAV validas en iuj scenaroj.

ENKETO detalo
1064nm YAG Lasero-15mJ-20

Ĝi estas pasive Q-ŝanĝita Nd：YAG-lasero kun 1064nm ondolongo, ≥15mJ-pinta potenco kaj ≤8mrad-diverĝa angulo.Krome, ĝi estas malgranda kaj malpeza lasero, kiu povas esti ideala lumfonto de longdistanca intervalanta en altfrekvenco (20Hz).

ENKETO detalo